功率半導體芯片測試設備-高電壓大電流
 |
人氣：441 發(fā)布時間：2024-12-18 13:21 產品型號：PMST-8000V 應用領域：電磁輻射 產品價格：1000 想了解更多產品詳情，請 |
普賽斯功率半導體芯片測試設備-高電壓大電流，集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。詳詢18140663476
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊，模塊化的設計測試方法 靈活，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
測試系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據測試項目需要，設置不同的電壓、電流等參數，以滿足不同測試需求。測試數據可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測試主機可與探針臺搭配使用，實現晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。
測試主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz。
系統(tǒng)特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、納安級漏電流測試；
豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數；
配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能；
數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出；
模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；
可定制開發(fā)：可根據用戶測試場景定制化開發(fā)；
系統(tǒng)參數
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
測試夾具
針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT、SiC、MOS、GaN等產品，普賽斯提供
整套測試夾具解決方案，可用于T0單管，半橋模組等產品的測試。
目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現出絕對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在3500V、1000A以上量程及測試性能均處于絕對優(yōu)勢地位。此外，在大功率激光器測試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測試及老化電源市場，普賽斯儀表的產品也能夠滿足絕大多數應用場景的需求。詳詢一八一四零六六三四七六；
