Bi2MoO6薄膜電極光電催化氧化處理氰化物的研究
更新時(shí)間：2015-05-22 14:35
來源：環(huán)境科學(xué)學(xué)報(bào)
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摘要：本文采用非晶態(tài)配合物法及浸漬提拉法在導(dǎo)電玻璃基底上制備了Bi2MoO6薄膜電極,采用此電極在可見光(λ>420nm)照射下進(jìn)行了光電催化氧化處理氰化物的研究.通過場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡和X射線衍射對(duì)電極的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電玻璃基底上充分而平均地覆蓋著黃色的納米Bi2MoO6顆粒,形成了γ-Bi2MoO6相.在Bi2MoO6電極處理絡(luò)合態(tài)氰化物Cu(CN)32-實(shí)驗(yàn)中,總氰化物的去除率和Cu的回收率大致是隨著電壓的升高而增大,當(dāng)電壓為2.0V,反應(yīng)時(shí)間為120min時(shí),處理效果最好,剩余總氰化物和Cu的含量分別為30%和35%.破絡(luò)合后的Cu2+一部分以Cu(Ⅱ)形式沉積在陽(yáng)極上,一部分轉(zhuǎn)化為Cu單質(zhì)沉積在陰極上.在Bi2MoO6電極處理自由態(tài)氰化物NaCN實(shí)驗(yàn)中,總氰化物的去除率大致也是隨著電壓的升高而增大,當(dāng)電壓為2.0V,反應(yīng)時(shí)間為120min時(shí),剩余總氰化物含量為5%.
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