KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積制備碳薄膜
來源：伯東企業(yè)(上海)有限公司 閱讀：8726 更新時(shí)間：2021-01-20 16:17北京某研究院采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積制備碳薄膜, 同時(shí)在室溫和無催化層襯底的條件下, 探究離子束能量和沉積時(shí)間對(duì)碳納米薄膜成膜的影響.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào) |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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該濺射沉積是在氣壓為 1.33×10-4Pa 和襯底溫度為室溫條件下,利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射石墨, 在無催化層的硅(Si)襯底上加工碳納米薄膜.
通過拉曼光譜對(duì)碳納米薄膜表面物質(zhì)的組成進(jìn)行了分析; 利用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)來顯示薄膜的表面結(jié)構(gòu); 實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示, 輻照時(shí)間對(duì) ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有顯著的影響, 并且高離子束能量能夠促進(jìn)碳晶粒的結(jié)晶. 同時(shí), 在高能量的離子束下沉積碳納米薄膜, 在 Si 表面發(fā)現(xiàn)了特殊圖案的碳納米結(jié)構(gòu): 雪花狀, 方塊狀及四角星狀.
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此，該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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